基于快速存储器的主存储器

专利类型:
发明专利(2)
专利有效性:
无效专利(2)
法律状态:
权利终止(2)
高级筛选:

路标网共为您找到相关结果2

公开(公告)时间
申请时间

基于快速存储器的主存储器中读出数据的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:CN02160515.7
  • 申请人:英特尔公司
  • 申请日:1995-06-01
  • 主分类号:暂无
  • 公开(公告)日:2003-07-16
  • 公开/公告号:CN1430151
申请同类专利

摘要:描述了可被切换至4种不同的读出方式的快速存储器芯片(320)。还描述了利用了这些方式的计算机系统(100、200、300、800、1300、1500)和体系。在第一种读出方式即异步快速方式中,快速存储器(130)被作为标准快速存储器读出。在第二种方式即同步快速方式中,向快速存储器芯片(320)提供时钟信号和每时钟信号一个地址地指定属于一数据串的一系列地址。在第三种方式即异步DRAM(动态随机存取存储器)方式中,快速存储器(130)模拟DRAM。在第四种读出方式即同步DRAM方式中,组合第二和第三种方式的特点,得到模拟同步DRAM的快速存储器。

著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献

基于快速存储器的主存储器

发明专利无效专利
  • 申请号:CN95193421.X
  • 申请人:英特尔公司
  • 申请日:1995-06-01
  • 主分类号:暂无
  • 公开(公告)日:1997-07-23
  • 公开/公告号:CN1155341
申请同类专利

摘要:描述了可被切换至4种不同的读出方式的快速存储器芯片(320)。还描述了利用了这些方式的计算机系统(100、200、300、800、1300、1500)和体系。在第一种读出方式即异步快速方式中,快速存储器(130)被作为标准快速存储器读出。在第二种方式即同步快速方式中,向快速存储器芯片(320)提供时钟信号和每时钟信号一个地址地指定属于一数据串的一系列地址。在第三种方式即异步DRAM(动态随机存取存储器)方式中,快速存储器(130)模拟DRAM。在第四种读出方式即同步DRAM方式中,组合第二和第三种方式的特点,得到模拟同步DRAM的快速存储器。

著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献
  • 1
前往
没找到想要的结果?为您推荐专业专利顾问检索  基于快速存储器的主存储器 专利,更快更准确
免费
我想查:已帮助0位用户进行查询

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供