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一种压力传感器基座及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011582464.X
  • IPC分类号:G01L1/18;G01L9/06;G01L19/14;C03C29/00
  • 申请日期:
    2020-12-28
  • 申请人:
    西安赛尔电子材料科技有限公司
著录项信息
专利名称一种压力传感器基座及其制作方法
申请号CN202011582464.X申请日期2020-12-28
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-05-14公开/公告号CN112798157A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01L1/18IPC分类号G;0;1;L;1;/;1;8;;;G;0;1;L;9;/;0;6;;;G;0;1;L;1;9;/;1;4;;;C;0;3;C;2;9;/;0;0查看分类表>
申请人西安赛尔电子材料科技有限公司申请人地址
陕西省西安市西安经济技术开发区泾渭工业园西金路西段15号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安赛尔电子材料科技有限公司当前权利人西安赛尔电子材料科技有限公司
发明人郑浩楠;王宇飞;王俊杰;李帅;杨文波;寇轩彰
代理机构嘉兴中创致鸿知识产权代理事务所(普通合伙)代理人赵丽丽
摘要
本发明专利属于金属玻璃封接领域,具体是涉及一种压力传感器基座及其制作方法。该压力传感器基座包括外壳、封接玻璃坯和引线,所述外壳在轴向上设有玻璃封接孔,将封接玻璃坯放入所述玻璃封接孔内,所述封接玻璃坯上设有若干通孔,将引线至下而上穿过所述通孔,所述玻璃封接孔呈阶梯状,位于所述封接玻璃孔上方设有第一台阶,位于第一台阶上方设有第二台阶。本发明目的在于提供一种高性能压力传感器基座及其制作方法,本发明为高电性能压力传感器基座优化和制作方法,制作出来的产品耐电压及电阻性能强。大大提高传感器的使用范围。

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