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等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010255068.6
  • IPC分类号:H01L21/66;H01J37/32
  • 申请日期:
    2010-08-17
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置
申请号CN201010255068.6申请日期2010-08-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-03-14公开/公告号CN102376520A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人汪明刚;刘杰;夏洋;李超波;陈瑶;赵丽莉;李勇滔
代理机构北京华沛德权律师事务所代理人王建国
摘要
本发明公开了一种等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置,属于微电子技术领域。所述装置包括用于诊断等离子体离子密度、电子密度、等离子体电势与等离子体电子温度等特性参数的诊断单元;用于获得等离子体中粒子组分和各组分粒子含量的分析单元;用于根据等离子体特性参数以及等离子体中粒子组分和所述各组分粒子含量,计算得出注入工艺参数的计算单元;以及用于根据计算单元的输出信号以及注入工艺参数控制等离子体浸没注入机的注入工艺的控制单元。本发明的等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置可以克服现有的离子注入剂量检测中存在多种带电离子检测的问题;同时还可以用于准确控制离子注入的工艺流程。

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