一种新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料及其制备和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202011167167.9
IPC分类号：C01B19/04;B82Y40/00;B82Y25/00;C01G41/00;B82Y30/00;H01L29/24
申请日期：
2020-10-27
申请人：
湖南大学

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专利名称	一种新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料及其制备和应用
申请号	CN202011167167.9	申请日期	2020-10-27
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-26	公开/公告号	CN113697779A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B19/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B19/00 硒；碲；其化合物 C01B19/04 二元化合物〔3〕	IPC分类号	C;0;1;B;1;9;/;0;4;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;2;5;/;0;0;;;C;0;1;G;4;1;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;2;4查看分类表>
申请人	湖南大学	申请人地址	湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖南大学	当前权利人	湖南大学
发明人	王笑;张丹亮;易琛;朱小莉;潘安练
代理机构	长沙市融智专利事务所（普通合伙）	代理人	蒋太炜

摘要

本发明涉及一种新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料及其制备和应用，属于二维磁性材料开发技术领域。所述新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料，为片状结构；其中，单个片状三硒化二铬纳米片中，厚度为单个晶胞厚度～N个晶胞厚度；所述N大于1；所述单个片状三硒化二铬纳米片的尺寸大于等于18微米。其制备方法为：在保护气氛下，将硒气和含铬气体置于800‑900℃的环境中进行化学气相沉积，得到三硒化二铬纳米片。本发明所设计和制备的三硒化二铬纳米片可应用于过渡金属硫化物的能谷调控；其能谷调控效果明显并能在大气环境下稳定工作。

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