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发光二极管用外延片和发光二极管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610101877.5
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2006-07-12
  • 申请人:
    日立电线株式会社
著录项信息
专利名称发光二极管用外延片和发光二极管
申请号CN200610101877.5申请日期2006-07-12
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-04-04公开/公告号CN1941435
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人日立电线株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日立电线株式会社当前权利人日立电线株式会社
发明人加古学;谷毅彦
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司代理人徐江华
摘要
本发明涉及在外延成长后不追加工序而提供高成品率、高光取出效率的发光二极管用外延片和发光二极管。对于该发光二极管用外延片,在n型GaAs衬底(2)上,通过MOVPE法依次成长n型AlGaInP包覆层(3)、AlGaInP活性层(4)和p型AlGaInP包覆层(5),在p型AlGaInP包覆层(5)上,通过MOVPE成长以Mg为掺杂剂的p型GaP电流扩散层(6),通过使p型GaP电流扩散层(6)的表面粗糙化,从而提高了光取出效率。

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