一种减少只读存储器漏电流的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410056343.X
IPC分类号：G11C17/06
申请日期：
2014-02-19
申请人：
上海新储集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	一种减少只读存储器漏电流的方法
申请号	CN201410056343.X	申请日期	2014-02-19
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-04-30	公开/公告号	CN103761990A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C17/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C17/00 只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如，手动可替换信息卡片的（可擦的可编程序只读存储器入G11C 16/00；编码；译码或代码转换一般入H03M）〔2，5〕 G11C17/06 应用二极管元件的（G11C 17/14优先）〔2，5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;7;/;0;6查看分类表>
申请人	上海新储集成电路有限公司	申请人地址	上海市金山区天工路285弄10号楼东单元变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新储集成电路有限公司	当前权利人	上海新储集成电路有限公司
发明人	易敬军;陈邦明
代理机构	上海麦其知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	董红曼

摘要

本发明公开了一种减少只读存储器漏电流的方法，计算待存入只读存储器的逻辑数据的总数；计算逻辑数据中高电平逻辑数据的数量；将逻辑数据存入只读存储器中；若高电平逻辑数据的数量大于逻辑数据的总数的一半，则将逻辑数据取反后存入只读存储器中。本发明还公开了一种减少只读存储器漏电流的方法，通过获取待存入只读存储器的逻辑数据中高电平逻辑数据的存储地址；步骤二：将高电平逻辑数据的存储地址转换为只读存储器的存储单元阵列中同一行或同一列存储单元的地址；步骤三：将逻辑数据按转换后的地址存入只读存储器中。本发明以较小面积的芯片与较低的延迟减少只读存储器的漏电流和静态功耗，降低漏电流对数据存储与读取的干扰。

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