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一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的装置及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110447744.4
IPC分类号：C30B23/02;C30B29/32
申请日期：
2011-12-28
申请人：
中国科学院物理研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的装置及方法
申请号	CN201110447744.4	申请日期	2011-12-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-06-13	公开/公告号	CN102492984A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕 C30B23/02 外延层生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;3;2查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	杨芳;汪志明;石刘;冯加贵;郭建东
代理机构	北京泛华伟业知识产权代理有限公司	代理人	王勇

摘要

本发明提供一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法，包括：1)在氧气氛中于SrTiO3衬底的(110)面上共沉积Ti和Sr，同时对样品进行反射式高能电子衍射的原位实时监测；2)根据反射式高能电子衍射的特征衍射条纹的亮度变化来调整Ti和Sr的束流比例，使薄膜表面的重构与衬底表面的重构相同。

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