具有多个发光元件的发光二极管及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201480031234.0
IPC分类号：H01L33/36;H01L33/20
申请日期：
2014-05-20
申请人：
首尔伟傲世有限公司

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著录项信息

专利名称	具有多个发光元件的发光二极管及其制造方法
申请号	CN201480031234.0	申请日期	2014-05-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-01-13	公开/公告号	CN105247694A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0查看分类表>
申请人	首尔伟傲世有限公司	申请人地址	韩国京畿道安山市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	首尔伟傲世有限公司	当前权利人	首尔伟傲世有限公司
发明人	吴世熙;尹馀镇;金钟奎
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	尹淑梅

摘要

公开了一种包括多个发光元件的发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：基底；多个发光元件,设置在基底上；互连线，将发光元件相互连接，其中多个发光元件包括外部发光元件，所述外部发光元件沿着基底的边缘对齐，所述外部发光元件中的每个包括内面和外面，所述内面朝向邻近的发光元件，所述外面设置成邻近基底边缘且朝向基底的外部，并且所述外部发光元件中的至少一个的内面包括与其外面相比更为平缓倾斜的侧表面。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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