被选存储单元非破坏性读出的方法及设备

发明专利无效专利

申请号：
CN02805531.4
IPC分类号：G11C7/12;G11C8/08;G11C11/22
申请日期：
2002-02-15
申请人：
薄膜电子有限公司

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专利名称	被选存储单元非破坏性读出的方法及设备
申请号	CN02805531.4	申请日期	2002-02-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-05-05	公开/公告号	CN1494719
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/12 位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;1;2;;;G;1;1;C;8;/;0;8;;;G;1;1;C;1;1;/;2;2查看分类表>
申请人	薄膜电子有限公司	申请人地址	挪威奥斯陆变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	薄膜电子有限公司	当前权利人	薄膜电子有限公司
发明人	P·－E·诺达尔;H·G·古德森;G·I·莱斯塔德
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	陈景峻;梁永

摘要

一种确定在具有字线与位线的无源矩阵可寻址数据存储装置中的存储单元的逻辑状态的方法，用探测电压检测和相关电流响应的成份，并且将时间相关的电位施加在所选字线与位线或字线与位线组上，所述电位在幅度和定时上互相协调，以使得在非启动字线和启动位线之间的非寻址的全部或某些的两端电压仅包含与探测电压暂态相关的可忽略电压成分。执行该方法的设备利用启动字线上的全部存储单元的顺序读出。通过多路复用器选择启动字线，同时在读出期间把非启动字线箝位到地。执行该方法的另一设备仅有单一检测电路。本发明利用可极化存储器材料消除电容状结构的无源矩阵可寻址存储器阵列中的容性耦合，用于被选存储单元非破坏性读出。

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