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集成的外延金属电极

发明专利有效专利

申请号：
CN202080010583.X
IPC分类号：H01L21/285
申请日期：
2020-01-23
申请人：
IQE公开有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	集成的外延金属电极
申请号	CN202080010583.X	申请日期	2020-01-23
法律状态	公开	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-09-07	公开/公告号	CN113366614A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/285 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕 H01L21/283 用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积〔2〕 H01L21/285 气体或蒸气的沉积，例如冷凝〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;5查看分类表>
申请人	IQE公开有限公司	申请人地址	英国加的夫变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	IQE公开有限公司	当前权利人	IQE公开有限公司
发明人	R·佩尔策尔;A·克拉克;R·达尔基斯;M·莱比;R·哈蒙德
代理机构	中国贸促会专利商标事务所有限公司	代理人	李跃龙

摘要

本文描述系统和方法从而包括在稀土氧化物和半导体层之间的外延金属层。描述系统和方法从而生长层状结构，包含衬底，在衬底上方外延生长的第一稀土氧化物层，在稀土氧化物层上方外延生长的第一金属层，和在第一金属层上方外延生长的第一半导体层。具体地，衬底可包括多孔部分，其通常与金属层对齐，其间有或没有稀土氧化物层。

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