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半导体器件的形成方法、鳍式场效应管的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210165855.0
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2012-05-24
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件的形成方法、鳍式场效应管的形成方法
申请号CN201210165855.0申请日期2012-05-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-12-04公开/公告号CN103426765A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人三重野文健
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
一种半导体器件的形成方法,包括:提供半导体衬底;对所述半导体衬底进行掺杂工艺,形成位于所述半导体衬底表面的掺杂层;形成位于所述掺杂层表面的硬掩膜层,以所述硬掩膜层为掩膜,刻蚀部分所述掺杂层,形成第一子鳍部;在所述半导体衬底表面形成绝缘层,所述绝缘层表面与所述第一子鳍部顶部齐平;形成绝缘层后,去除部分厚度的第一子鳍部,形成开口;在所述开口内形成第二子鳍部,所述第二子鳍部顶部与所述绝缘层表面齐平。同时还提供了一种鳍式场效应管的形成方法,形成的半导体器件、鳍式场效应管的沟道区应力大,载流子迁移率高,阈值电压低,且栅极漏电流小,性能稳定。

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