一种SRAM存储单元及存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110119716.3
IPC分类号：G11C11/413;G11C7/12;G11C5/14
申请日期：
2021-01-28
申请人：
中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	一种SRAM存储单元及存储器
申请号	CN202110119716.3	申请日期	2021-01-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-14	公开/公告号	CN112802520A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/413 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;3;;;G;1;1;C;7;/;1;2;;;G;1;1;C;5;/;1;4查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	宿晓慧;苏泽鑫;李博;罗家俊;韩郑生
代理机构	北京知迪知识产权代理有限公司	代理人	王胜利

摘要

本发明公开一种SRAM存储单元及存储器，涉及电路设计技术领域，用于提高数据安全性，并降低了SRAM存储器的面积及功耗。所述SRAM存储单元包括：数据锁存电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路及存储电路。数据锁存电路具有第一输出端、第二输出端及转换节点。第一开关电路串接在第二输出端与转换节点之间。第二开关电路串接在第一输出端和存储电路的第一端之间。第三开关电路串接在转换节点和存储电路的第一端之间。存储电路的第二端用于与接地端电连接。所述SRAM存储器包括上述技术方案所提的SRAM存储单元。

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