一种三维集成系统及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010920784.5
IPC分类号：H01L41/047;H01L41/113;H01L41/317;H02J7/32;H02N2/18
申请日期：
2020-09-04
申请人：
复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种三维集成系统及制备方法
申请号	CN202010920784.5	申请日期	2020-09-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-11	公开/公告号	CN112071974A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L41/047 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L41/00 一般压电器件；一般电致伸缩器件；一般磁致伸缩器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备；这些器件的零部件（由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L41/02 零部件〔2〕 H01L41/04 压电器件的或电致伸缩器件的〔2〕 H01L41/047 电极〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;1;/;0;4;7;;;H;0;1;L;4;1;/;1;1;3;;;H;0;1;L;4;1;/;3;1;7;;;H;0;2;J;7;/;3;2;;;H;0;2;N;2;/;1;8查看分类表>
申请人	复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司	申请人地址	上海市杨浦区邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学,上海集成电路制造创新中心有限公司	当前权利人	复旦大学,上海集成电路制造创新中心有限公司
发明人	朱宝;陈琳;孙清清;张卫
代理机构	上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黄海霞

摘要

本发明提供了一种三维集成系统及制备方法，所述集成系统包括纳米发电机、纳米电容结构、第一硅通孔结构和第二硅通孔结构；所述方法包括如下步骤：选择刻蚀衬底并在所述刻蚀衬底表面刻蚀出多个硅纳米孔并制备获得纳米电容结构；在所述纳米电容结构表面制备出共用电极的纳米发电机；对所述纳米发电机顶部两侧处理得到第一硅通孔结构和第二硅通孔结构；在所述第一硅通孔结构和所述第二硅通孔结构内部进行金属布线，将所述纳米电容结构与所述纳米发电机之间导通连接，以获得最终的集成系统，将压电发电机产生的电能储存在纳米电容结构之中，获得持续稳定的能量输出，而且整个系统尺寸易于微缩，占用面积小。

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