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一种位移传感器及其使用、制作方法和一种干涉仪

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510447068.9
  • IPC分类号:G01B11/02;G01B9/02
  • 申请日期:
    2015-07-27
  • 申请人:
    中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
著录项信息
专利名称一种位移传感器及其使用、制作方法和一种干涉仪
申请号CN201510447068.9申请日期2015-07-27
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2017-02-15公开/公告号CN106403821A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01B11/02IPC分类号G;0;1;B;1;1;/;0;2;;;G;0;1;B;9;/;0;2查看分类表>
申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所当前权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人孙天玉;张宝顺
代理机构北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)代理人武玉琴;刘国伟
摘要
本发明公开了一种位移传感器及其使用、制作方法和一种干涉仪,其中,所述位移传感器包括:半导体激光器,用于产生激光光束;衍射光栅,用于将所述激光光束中的一部分光直接衍射再反射,产生第一衍射光;同时用于将所述激光光束中穿过自身、到达待测物体,并经待测物体反射后再次穿过自身的一部分光衍射,形成第二衍射光;探测器,位于待测第一衍射光和第二衍射光中预设相同级次的衍射光交汇处,用于测量第一衍射光与第二衍射光中预设相同级次的衍射光之间的干涉强度信息的变化;信息处理器,与所述探测器相连,用于读取干涉强度信号,根据探测器探测的干涉强度变化信息,反演出待测物体的位移信息;所述衍射光栅位于半导体激光器与待测物体之间。

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