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一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201611234219.3
IPC分类号：H01L33/54;H01L33/48;H01L33/00
申请日期：
2016-12-27
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法
申请号	CN201611234219.3	申请日期	2016-12-27
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-03-22	公开/公告号	CN106531871A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/54 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/52 封装〔2010.01〕 H01L33/54 具有特定形状〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;4;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	倪茹雪;张韵;郭亚楠;王军喜;李晋闽
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法，涉及半导体制备技术领域。本发明通过图形化处理在基板上形成具有反射层的凹坑群，凹坑剖面结构的侧边与水平方向形成一定的角度，以对LED芯片端面出射的光线进行反射来改变其传播方向，从而减少光的吸收与损耗，有效提高了LED的出光效率。同时，本发明提出了其相应的制备方法，能够清晰、明确地制备得到该种图形化基板。

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