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一种高性能的碳化硅陶瓷材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110035598.8
  • IPC分类号:C04B35/565;C04B35/64
  • 申请日期:
    2021-01-12
  • 申请人:
    罗焕焕
著录项信息
专利名称一种高性能的碳化硅陶瓷材料及其制备方法
申请号CN202110035598.8申请日期2021-01-12
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-11公开/公告号CN112778014A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/565IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;6;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4查看分类表>
申请人罗焕焕申请人地址
陕西省榆林市米脂县银州镇南大街1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人罗焕焕当前权利人罗焕焕
发明人不公告
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种高性能的碳化硅陶瓷材料及其制备方法,制备方法包括如下步骤:准备原料、球磨混合、喷雾造粒、压制成型、烧结,通过原料中α‑碳化硅粉末与β‑碳化硅粉末的加入配比,有利于晶界的强化和晶粒细化,进而提高了碳化硅陶瓷的强韧性及硬度。合适的烧结助剂组成可以扩大烧结温度范围,给工艺控制带来方便;烧结助剂为B4C、C和AlN,当B4C、C和AlN的质量比例为(1‑2):(1.5‑3):(1‑3)时,烧结助剂能较好地提高碳化硅晶粒间的界面结合强度,促进高温强度的提高。当烧结温度为2050℃时,碳化硅陶瓷材料的烧结密度较高。制备的碳化硅陶瓷材料,其室温及高温力学性能优异。

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