一种具有保护环的超结MOSFET器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201710667823.3
IPC分类号：H01L27/088;H01L29/06
申请日期：
2017-08-07
申请人：
电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种具有保护环的超结MOSFET器件
申请号	CN201710667823.3	申请日期	2017-08-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-01	公开/公告号	CN107424997A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/088 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	任敏;罗蕾;李佳驹;谢驰;李泽宏;张波
代理机构	成都点睛专利代理事务所（普通合伙）	代理人	葛启函

摘要

本发明提供了一种具有保护环的超结MOSFET器件，属于功率器件技术领域。本发明器件的有源区中具有至少一个由元胞阵列和环绕于元胞阵列外围的保护环构成的组合单元；任意一个元胞的结构自下而上包括金属化漏极、衬底、外延区、柱区和体区一、栅极以及金属化源极，所述元胞阵列外围的外延区内还设置有环区及其内的体区二，体区一、体区二、柱区及环区的导电类型均与外延区导电类型相反。通过合理控制环区相较柱区的掺杂量导致保护环处电荷失衡，从而改变雪崩击穿路径并将雪崩击穿点固定在保护环处，避免雪崩电流流经寄生三极管基区电阻使其开启，从而提高了超结功率器件抗UIS失效能力，进而提高了超结功率器件的可靠性。

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