首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

光刻方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201611021155.9
IPC分类号：G03F7/00
申请日期：
2016-11-21
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光刻方法
申请号	CN201611021155.9	申请日期	2016-11-21
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-08-04	公开/公告号	CN107015432A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	翁明晖;刘朕与;张庆裕
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	张福根

摘要

根据一些实施例提供一种光刻方法。该光刻方法包括：提供基底；形成交联层于基底上方，其中交联层与基底接触；形成图案化层于交联层上方；藉由使用图案化层作为掩模，以形成图案于交联层及基底中；藉由使用辐射源来处理交联层，以将交联层转变为具有减少的分子量的去交联层；以及藉由使用不会导致基底损坏的溶液以移除去交联层。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供