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一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110562680.6
  • IPC分类号:H02M1/088H02M1/32
  • 申请日期:
    2021-05-24
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路
申请号CN202110562680.6申请日期2021-05-24
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-10公开/公告号CN113241933A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02M1/088IPC分类号H02M1/088;H02M1/32查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新西区西源大道20*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人王卓;刘媛媛;张永瑜;叶自凯;明鑫;张波
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)代理人孙一峰
摘要
本发明属于电源管理技术领域,具体是涉及一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路。本发明的方案,通过死区模式选择控制电压产生电路根据不同的外部编程电阻产生不同的VDT电压,在分段死区时间产生电路中与不同的ref电压进行比较选择不同的延时链输出,并将其延时与输入HI和LI信号进行耦合,最终输出包含死区信息的HI_OUT和LI_OUT信号。本发明的电路可通过调整外部编程电阻的大小自适应的调整内部半桥系统的死区时间。

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