一种高压硅堆

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201620108835.3
IPC分类号：H01L25/07;H01L23/48;H01L23/29;H01L23/31
申请日期：
2016-02-03
申请人：
泰州优宾晶圆科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种高压硅堆
申请号	CN201620108835.3	申请日期	2016-02-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/07 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/03 所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕 H01L25/04 不具有单独容器的器件〔2014.01〕 H01L25/07 包含在H01L 29/00组类型的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人	泰州优宾晶圆科技有限公司	申请人地址	江苏省泰州市姜堰经济开发区扬州路99号（优宾晶圆科技）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	泰州优宾晶圆科技有限公司	当前权利人	泰州优宾晶圆科技有限公司
发明人	黄仲濬;蒋文甄
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型公开了一种高压硅堆，所述底座和引线的材料是无氧铜，因为铜稍硬、极坚韧、耐磨损，而且其延展性、导热和导电性能都很好，所述引线表面上有一层镍，可起到防止氧化、生锈以及耐腐蚀的作用，所述灌封层为环氧树脂，环氧树脂不仅介电性能好，变定收缩率小，而且制品尺寸稳定性好、硬度高、柔韧性较好,所述硅堆本体内四周都填充环氧树脂层，可以对本体内的二极管起到很好的保护作用，该高压硅堆有电压高、使用寿命长、散热好的优点，具有广阔的市场前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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