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配线电路基板、半导体装置、配线电路基板的制造方法以及半导体装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201680034249.1
  • IPC分类号:H01L23/15;H01L23/12;H05K1/11;H05K3/46
  • 申请日期:
    2016-06-07
  • 申请人:
    凸版印刷株式会社
著录项信息
专利名称配线电路基板、半导体装置、配线电路基板的制造方法以及半导体装置的制造方法
申请号CN201680034249.1申请日期2016-06-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-02-09公开/公告号CN107683524A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/15IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;1;5;;;H;0;1;L;2;3;/;1;2;;;H;0;5;K;1;/;1;1;;;H;0;5;K;3;/;4;6查看分类表>
申请人凸版印刷株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人凸版印刷株式会社当前权利人凸版印刷株式会社
发明人今吉孝二
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司代理人何立波;张天舒
摘要
提供能够在玻璃基材表面形成配线、且具有足够的可靠性的配线电路基板、半导体装置、配线电路基板的制造方法、半导体装置的制造方法。配线电路基板包含:玻璃基材,其具有贯通孔;绝缘性树脂层,其层叠于玻璃基材上,且形成有导通孔;配线组,其层叠于绝缘性树脂层;第1无机贴合层,其层叠于贯通孔内的内径面;贯通电极,其由层叠于第1无机贴合层的第1导电层构成;以及第2导电层,其与贯通电极的上下端电连接,形成于贯通电极以及玻璃基材上,玻璃基材的表面粗糙度Ra小于或等于100nm,第2导电层的贯通电极上的凹陷量小于或等于5μm。

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