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一种制作P型金属氧化物半导体的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810247075.4
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/265
  • 申请日期:
    2008-12-31
  • 申请人:
    北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种制作P型金属氧化物半导体的方法
申请号CN200810247075.4申请日期2008-12-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-07-07公开/公告号CN101770955A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司申请人地址
深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路五号方正微电子工业园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳方正微电子有限公司当前权利人深圳方正微电子有限公司
发明人李若加;谭志辉;黎智
代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司代理人郭润湘
摘要
本发明公开了一种制作P型金属氧化物半导体的方法,包括:对硅片进行磷离子注入以及砷离子注入,形成N阱;对所述形成N阱后的硅片进行P型金属氧化物半导体PMOS阈值电压VTP注入;对经过所述VTP注入的硅片进行栅极制作;对经过所述栅极制作的硅片进行源漏注入。通过本发明实施例提供的上述技术方案,在制作PMOS的过程中,通过再次注入N型离子中比磷离子原子量大一倍多的砷离子,从而使得硅片表面的离子浓度与传统工艺制作出的PMOS表面的离子浓度相比大很多,进而大大提高了源漏击穿电压。

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