首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种磁存储器件的制备方法及磁存储器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010545330.4
  • IPC分类号:H01L43/02H01L43/08H01L43/12
  • 申请日期:
    2020-06-15
  • 申请人:
    浙江驰拓科技有限公司
著录项信息
专利名称一种磁存储器件的制备方法及磁存储器件
申请号CN202010545330.4申请日期2020-06-15
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-09-15公开/公告号CN111668364A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L43/02IPC分类号H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12查看分类表>
申请人浙江驰拓科技有限公司申请人地址
浙江省杭州市临安区青山湖街道励新*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江驰拓科技有限公司当前权利人浙江驰拓科技有限公司
发明人熊保玉;金国栋
代理机构北京兰亭信通知识产权代理有限公司代理人赵永刚
摘要
本发明提供了一种磁存储器件的制备方法及磁存储器件,该制备方法包括提供一衬底,该衬底上具有底电极;在底电极上设置辅助层;在辅助层上设置磁性隧道结。在上述的方案中,通过先在底电极上方设置辅助层,之后将磁性隧道结设置在辅助层上,使磁性隧道结与辅助层之间存在物理上的高度差,以减少磁性隧道结侧壁上金属再沉积现象,防止磁存储器件短路。且由于磁性隧道结与辅助层之间的高度差,可以减少采用刻蚀方式形成磁性隧道结过程中,刻蚀对磁性隧道结中不同的材料层的影响,提高磁性隧道结的良率以及性能。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供