用阳极化硅内层的开槽和氧化形成的半导体隔离

1、一种在N型半导体材料基片上制备隔离的半导体岛的方法，包括下列步骤：
在上述基片上生长N型半导体材料的第一掺杂外延层；
在上述第一层上生长N型半导体材料的第二外延层，上述第二层的掺杂浓度小于上述第一层的掺杂浓度；
形成一穿过上述第二层的缝隙，该缝隙围绕上述第二层的一部分并延伸到所述的第一层；
在上述缝隙中把第一层暴露在阳极氧化溶液中，使上述第一层阳极化，以使所述第一层变成多孔的半导体材料；及
把上述的多孔半导体材料暴露在氧化环境中，使上述多孔的半导体材料变成一隔离材料。
2、如权利要求1所述的方法，其特征在于进一步包括用隔离材料填充上述缝隙。
3、如权利要求2所述的方法，其特征在于上述缝隙是被包含氧化硅的材料所填充。
4、如权利要求1所述的方法，其特征在于生长上述第一外延层的步骤包括生长一重掺杂层。
5、如权利要求4所述的方法，其特征在于上述第一掺杂层生长的厚度大约为0.5～5微米。
6、如权利要求1所述的方法，其特征在于生长第二外延层的步骤是通过在上述第一层上生长一半导体材料的外延层而完成的，该第一层具有约每立方厘米5×1018到1×1019个原子的掺杂浓度。
7、如权利要求6所述的方法，其特征在于上述第二掺杂层生长约4微米的厚度。
8、一种在N型硅基片内制备隔离的半导体岛的方法，包括下列步骤：
在上述基片上外延生长一均匀掺杂的第一硅层，上述第一层具有的N型杂质浓度足以使该层通过阳极氧化作用变成多孔硅材料;
在第一层上外延生长第二硅层，所述的第二层具有一N型杂质浓度，该浓度不足以使该层通过阳极氧化作用变成多孔硅材料;
形成一穿过所述第二层到所述第一层的槽，所述槽使第二层形成一个岛;
使阳极氧化液在所述槽中直接接触第一层，以阳极氧化上述的第一层以形成上述第一层材料的具有均匀孔隙度的多孔硅。
氧化上述第一层的多孔硅，使上述多孔硅转化成氧化硅，以将上述基片与上述岛电隔离;以及
用隔离材料填充上述槽。
9、如权利要求8所述的方法，其特征在于用隔离材料填充上述槽的步骤包括用氧化硅填充上述槽。
10、如权利要求9所述的方法，其特征在于生成的第一层的厚度介于0.5～5微米之间。

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