一种氮化硅陶瓷气孔保护罩

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920967335.9
IPC分类号：C30B29/06;C30B28/04;C30B35/00
申请日期：
2019-06-26
申请人：
埃克诺新材料（大连）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种氮化硅陶瓷气孔保护罩
申请号	CN201920967335.9	申请日期	2019-06-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;8;/;0;4;;;C;3;0;B;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人	埃克诺新材料（大连）有限公司	申请人地址	辽宁省大连市花园口经济区梧桐路牡丹街85-1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	埃克诺新材料（大连）有限公司	当前权利人	埃克诺新材料（大连）有限公司
发明人	柏小龙;宋晓文
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型公开一种氮化硅陶瓷气孔保护罩，包括：保护罩本体、顶部气孔开闭组件以及侧壁气孔开闭组件，保护罩本体为氮化硅材质，圆形顶壁上设置有四个顶部气孔，环形侧壁上设置有数个侧壁气孔，顶部气孔开闭组件设置有顶部气孔橡胶塞，侧壁气孔开闭组件设置有侧壁气孔橡胶塞，在利用多晶硅生长炉生长多晶硅时，可以将本实用新型的氮化硅陶瓷气孔保护罩设置在气体物料出口孔上，防止由于硅体生长时异常碰撞跌落碎块堵住气体物料出口孔，氮化硅气孔保护罩能够防止氯硅烷气体及氯化氢气体腐蚀给多晶硅体生长带来污染，并且可以通过顶部气孔开闭组件以及侧壁气孔开闭组件对顶部气孔和侧壁气孔进行灵活的开启和关闭，以适应多样化的使用需求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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