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在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410096744.4
IPC分类号：H01L21/208;C30B19/00
申请日期：
2004-12-03
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法
申请号	CN200410096744.4	申请日期	2004-12-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-06-07	公开/公告号	CN1783434
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/208 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕 H01L21/208 应用液体沉积的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;8;;;C;3;0;B;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	彭长涛;陈诺夫;吴金良;陈晨龙
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种在砷化镓衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：根据液相外延的原理，将含有铟、锑和砷的源按原子数比配制成生长母源并将它们放入生长容器中，在外延炉中经充分熔解并均匀混合后，在生长温度范围内和过冷度的条件下在衬底进行外延生长。

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