半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710173281.4
IPC分类号：H01L21/02;H01L29/06;H01L21/265
申请日期：
2017-03-22
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体结构及其形成方法
申请号	CN201710173281.4	申请日期	2017-03-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-09	公开/公告号	CN108630523A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	赵猛
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	徐文欣;吴敏

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底上具有半导体层，所述半导体层暴露出部分基底；对部分基底进行绝缘处理形成氧化层，未形成氧化层的基底形成衬底，所述氧化层位于所述衬底与半导体层之间；所述绝缘处理之后，在所述半导体层中形成导电掺杂区。其中，通过对所述基底进行绝缘处理形成衬底和位于衬底与半导体层之间的氧化层。形成的半导体结构在工作过程中，所述导电掺杂区用于导电。所述氧化层能够阻挡所述导电掺杂区中载流子向衬底中迁移，从而能够降低所形成半导体结构的漏电流，改善所形成半导体结构的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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