具有电压检测功能的功率半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202211052581.4
IPC分类号：H01L23/544;H01L29/739;H01L27/07;G01R19/00;G01R31/26
申请日期：
2022-08-31
申请人：
电子科技大学

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著录项信息

专利名称	具有电压检测功能的功率半导体器件
申请号	CN202211052581.4	申请日期	2022-08-31
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-25	公开/公告号	CN115394756A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/544 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/544 加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;7;/;0;7;;;G;0;1;R;1;9;/;0;0;;;G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	李泽宏;杨洋;赵一尚;黄龄萱;夏梓铭;王彤阳;刘小菡;陈雨佳
代理机构	成都点睛专利代理事务所（普通合伙）	代理人	敖欢

摘要

本发明提供具有电压检测功能的功率半导体器件，包括集成在同一衬底上的功率IGBT器件、过渡区器件和IGBT电压检测器件；可以通过检测电压引出端得到与功率IGBT器件集电极电压变化趋势相同的电压，及时反馈，且不用额外增加器件的面积。采用与器件同一套工艺流程集成电压检测结构，电压检测结构与原器件的兼容性好，不需要额外的电压检测电路，能减小整体面积，降低功耗成本。同时，集成在IGBT电压检测器件区的电压检测电容与寄生电容并联能够保证采样点电压更低，兼容更低压的模拟控制电路对采样信号进行处理，进一步优化了设计成本和器件兼容性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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