用于半导体器件中的取样光栅的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810114793.4
IPC分类号：G02B6/13;G02B6/136;G02B6/124
申请日期：
2008-06-11
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	用于半导体器件中的取样光栅的制作方法
申请号	CN200810114793.4	申请日期	2008-06-11
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-12-16	公开/公告号	CN101604050
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02B6/13 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02B 光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕 G02B6/00 光导；包含光导和其他光学元件（如耦合器）的装置的结构零部件〔4，6〕 G02B6/10 光波导式的（G02B 6/02，G02B 6/24优先，用电、磁、电磁或电声装置进行光的控制入G02F 1/00；变换受调制光的调制入G02F 2/00；光学逻辑元件入G02F 3/00；光学模拟/数字变换器入G02F 7/00；使用电光元件的存储器入G11C 11/42；电波导管入H01P；通过光学装置传输信息的入H04B 10/00；多路系统入H04J 14/00）〔4，8〕 G02B6/12 集成光路类型（单晶的制备和加工入C30B；集成电路入H01L 27/00）〔4〕 G02B6/13 以制作方法为特征的集成光路〔6〕	IPC分类号	G;0;2;B;6;/;1;3;;;G;0;2;B;6;/;1;3;6;;;G;0;2;B;6;/;1;2;4查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	王桓;王宝君;朱洪亮
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层，得到含有半导体波导结构的芯片；步骤2：在上波导层的上面，均匀地涂上一层光刻胶；步骤3：对涂有光刻胶的芯片进行全息曝光，使光刻胶上印制出条状的光栅轮廓；步骤4：将芯片置于取样周期光刻版之下进行二次曝光，二次曝光后对芯片上的光刻胶显影，使光刻胶形成有光栅轮廓的胶条；步骤5：对显影好的芯片，进行离子刻蚀，在上波导层上得到光栅；步骤6：用腐蚀液修整光栅形貌，完成取样光栅的制作。本发明具有成本低、适于大规模生产的优点。

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