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低介电常数高Q值微波介质材料

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610150178.X
  • IPC分类号:C04B35/01;C01G1/02;C01G15/00;C01G9/02;C01B33/113;H01B3/00;H01B3/12;H01P7/10;H01P1/20
  • 申请日期:
    2006-10-31
  • 申请人:
    朱田中
著录项信息
专利名称低介电常数高Q值微波介质材料
申请号CN200610150178.X申请日期2006-10-31
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2008-03-05公开/公告号CN101134669
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/01IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;0;1;;;C;0;1;G;1;/;0;2;;;C;0;1;G;1;5;/;0;0;;;C;0;1;G;9;/;0;2;;;C;0;1;B;3;3;/;1;1;3;;;H;0;1;B;3;/;0;0;;;H;0;1;B;3;/;1;2;;;H;0;1;P;7;/;1;0;;;H;0;1;P;1;/;2;0查看分类表>
申请人朱田中申请人地址
江苏省张家港市金港镇振兴路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人朱田中当前权利人朱田中
发明人朱田中
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司代理人魏聿珠
摘要
本发明提供一种低介电常数高Q值微波介质材料,其成分为:ZnO、SiO2、ln2O3,其中,在1份材料中,ZnO摩尔分数a为1.5-3.0,SiO2摩尔分数b为0.5-1.3,ZnO和SiO2总和的质量百分比c为0.05%-0.1%,剩余物质为ln2O3。上述技术方案的有益之处在于:采用如上配方加工出来的微波介质材料,经试验表明,与现有的微波介质材料相比,具有低介电常数高Q值的优点,生产重复性能好,并且其温度系数Tf可调。从而使高频滤波器小型化成为可能。

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