复合导电碳薄层对电极及量子点敏化太阳能电池

发明专利有效专利

申请号：
CN201910955041.9
IPC分类号：H01G9/20;H01G9/042;H01G9/048
申请日期：
2019-10-09
申请人：
温州大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	复合导电碳薄层对电极及量子点敏化太阳能电池
申请号	CN201910955041.9	申请日期	2019-10-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-10	公开/公告号	CN110676060A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G9/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G9/058 （转入H01G 11/22）〔6〕 H01G9/20 光敏器件	IPC分类号	H;0;1;G;9;/;2;0;;;H;0;1;G;9;/;0;4;2;;;H;0;1;G;9;/;0;4;8查看分类表>
申请人	温州大学	申请人地址	浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	温州大学	当前权利人	温州大学
发明人	邹超;罗丽萍;吴丽滨;翟兰兰;杨云;张礼杰;黄少铭
代理机构	上海精晟知识产权代理有限公司	代理人	周丽娟

摘要

本发明公开了复合导电碳薄层对电极及量子点敏化太阳能电池，该对电极以钠钙玻璃为基底，通过溅射形成梯度浓度的CuZnMo导电薄膜，并在酸中刻蚀形成多孔CuZnMo薄膜，表面溅射ITO层作为保护膜并退火优化得到多孔ITO/CuZnMo薄膜，继续在多孔ITO/CuZnMo薄膜的表面旋涂导电碳层并退火后，再溅射一层Cu薄膜，然后滴加多硫电解液进行原位硫化而成。该对电极具有多孔结构和大比表面积、优良的ITO导电和耐腐蚀性能、催化材料和衬底薄膜的良好电子传输性能以及高催化活性，将该对电极与CuInSSe、CuInS2等量子点敏化的光阳极、多硫电解液一起组装而成的量子点敏化太阳能电池的电池效率和稳定性好。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供