硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310742639.2
IPC分类号：B81B1/00;B81C1/00;B82B1/00;B82B3/00;B82Y40/00
申请日期：
2013-12-30
申请人：
中国人民解放军国防科学技术大学

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著录项信息

专利名称	硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法
申请号	CN201310742639.2	申请日期	2013-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-19	公开/公告号	CN103641059A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B1/00 不具有活动或柔性元件的装置，例如微毛细管装置〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;1;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;2;B;1;/;0;0;;;B;8;2;B;3;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中国人民解放军国防科学技术大学	申请人地址	湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军国防科学技术大学	当前权利人	中国人民解放军国防科学技术大学
发明人	吴学忠;董培涛;王浩旭;陈剑;邸荻;王朝光;王俊峰
代理机构	湖南兆弘专利事务所	代理人	赵洪

摘要

本发明公开了一种硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法。该硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列包括一硅片基底，硅片基底上设有硅柱纳米结构阵列，硅柱纳米结构阵列上设有金属膜纳米结构阵列，金属膜纳米结构阵列单元设于硅柱纳米结构阵列单元上。制备方法包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米颗粒非致密排列、制备金属纳米孔阵列掩模、制备纳米结构阵列模版、制备金属膜纳米结构阵列掩模和硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列等工艺步骤。本发明的纳米结构阵列具有大面积、高密度、形貌可被改变等优点，制备方法成本低廉、效率高、兼容性好，为研究纳米结构阵列的光学性质、磁性能、催化特性等提供了便利。

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