半导体结构及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210591064.4
IPC分类号：--
申请日期：
2012-11-06
申请人：
中国科学院微电子研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体结构及其制造方法
申请号	CN201210591064.4	申请日期	2012-11-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-21	公开/公告号	CN103811349A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎
代理机构	北京汉昊知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	朱海波;何平

摘要

本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，该SOI衬底从上至下包括基底层（130），BOX层（110）和SOI层（100）；在所述SOI衬底上形成伪栅堆叠以及伪栅堆叠两侧的注入屏蔽层；去除伪栅堆叠形成栅极凹陷（220）；d）通过所述栅极凹陷（220）对半导体结构进行应力引发离子的注入并进行退火，在栅极凹陷（220）正下方形成位于所述SOI衬底的BOX（110）层之下的应力引发区（150）。相应地，本发明还提供了一种根据上述方法形成的半导体结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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