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一种改善Li3Mg2SbO6陶瓷烧结特性和微波介电性能的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910985462.6
  • IPC分类号:C04B35/01;C04B35/622
  • 申请日期:
    2019-10-17
  • 申请人:
    西安邮电大学
著录项信息
专利名称一种改善Li3Mg2SbO6陶瓷烧结特性和微波介电性能的方法
申请号CN201910985462.6申请日期2019-10-17
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-01-10公开/公告号CN110668794A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/01IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;0;1;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人西安邮电大学申请人地址
陕西省西安市长安区韦郭路西安邮电大学南校区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安邮电大学当前权利人西安邮电大学
发明人姚国光;裴翠锦;谭晶晶;李阳;任卫
代理机构西安永生专利代理有限责任公司代理人高雪霞
摘要
本发明公开了一种改善Li3Mg2SbO6陶瓷烧结特性和微波介电性能的方法,采用传统固相工艺,通过在Li3Mg2SbO6基体中引入Sb位晶格缺陷,Sb位晶格缺陷及氧空位活化了其晶格结构,不仅可改善其烧结特性(抑制Li3Mg2SbO6陶瓷开裂、降低其烧结温度),而且可改善其微波介电性能(Q×f最高提升约170%),其介电常数为9.5~11.0,品质因数Q×f为41700~86300GHz,谐振频率温度系数为‑12.7~‑7.9ppm/℃。本发明方法所用原料来源丰富、成本低廉,制备工艺简单,有利于工业化生产,所得陶瓷材料可广泛应用于微波介质基板、滤波器、天线等微波器件的制造。

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