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光学近场显微光刻方法及所用的显微光刻装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN90108839.0
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1990-09-22
  • 申请人:
    斯皮拉尔研究发展公司
著录项信息
专利名称光学近场显微光刻方法及所用的显微光刻装置
申请号CN90108839.0申请日期1990-09-22
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日1991-06-26公开/公告号CN1052559
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人斯皮拉尔研究发展公司申请人地址
法国库泰尔龙 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人斯皮拉尔研究发展公司当前权利人斯皮拉尔研究发展公司
发明人戴佛奈尔;殷得奈特·吉恩-皮埃尔;曼特瓦尼·詹姆斯
代理机构中国国际贸易促进委员会专利代理部代理人乔晓东
摘要
本发明涉及一种借助光束和/或电子束,在表面上获取亚微米结构的光学机械或电子机械的刻印为目的对晶片型基片直接扫描的显微光刻方法,其特征是,用光束和/或电子束的源,借助一个波导邻近性探测器,例如:光纤邻近性探测器来保持与基片成一个适当的距离,该探测器能测量出与所说距离有关的,位于所说探测器端头的近场部分内由基片反射的电磁波强度的迅速变化,本发明也涉及采用该方法的显微光刻装置。

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