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铜离子直接氧化硫离子的装置及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510944069.4
  • IPC分类号:C01B17/06
  • 申请日期:
    2015-12-16
  • 申请人:
    湖南科技大学
著录项信息
专利名称铜离子直接氧化硫离子的装置及方法
申请号CN201510944069.4申请日期2015-12-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-13公开/公告号CN105480952A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B17/06IPC分类号C;0;1;B;1;7;/;0;6查看分类表>
申请人湖南科技大学申请人地址
湖南省湘潭市雨湖区石码头2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南科技大学当前权利人湖南科技大学
发明人李大塘;谢慧翔;龙承韵;申云萍;邓望;孙冉
代理机构湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)代理人宋向红
摘要
本发明公开了一种铜离子直接氧化硫离子的装置及方法。本发明装置包括小烧杯,小烧杯中放有两个无底试管;小烧杯中装有饱和氯化钾琼脂流体,两个无底试管被饱和氯化钾琼脂流体固化后的冻胶封底;两个无底试管中分别装入硫酸铜溶液和硫化钠溶液;一根导线两端各连接一个惰性电极,将该导线两端惰性电极分别插入两个无底试管的硫酸铜溶液和硫化钠溶液中。插入硫酸铜溶液的电极下部端面有明显红色的固体,这种固体即为铜离子Cu2+被还原后的金属铜Cu;硫化钠溶液颜色渐渐变黄,这种黄色为硫离子S2‑被氧化成单质硫S,单质硫S再与硫离子S2‑缓慢反应生成的多硫离子Sn2‑的颜色。本发明可靠性强,现象明显,药品、材料易得,装置简单,安全性强。

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