具有记忆胞的元件及具有记忆胞阵列的元件的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510069990.5
IPC分类号：--
申请日期：
2005-05-11
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有记忆胞的元件及具有记忆胞阵列的元件的制造方法
申请号	CN200510069990.5	申请日期	2005-05-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-12-14	公开/公告号	CN1707776
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	潘锡树;黄仲仁
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

一种具有二位元浮置闸极记忆胞的元件的制造方法，首先提供一基底，且在基底上的记忆胞区中形成一复合电荷储存膜层。接着，在复合电荷储存膜层上形成一保护衬里材料层。其中，记忆胞区更包括在基底中的埋入式扩散区上形成氧化元件，以及在复合电荷储存膜层上形成多晶硅间隙壁，且此多晶硅间隙壁倚靠在此氧化元件的侧壁上。此外，更包括以多晶硅间隙壁为罩幕，进行一蚀刻制程穿过横向两氧化元件间的复合电荷储存膜层以形成一隔离沟渠，并在沟渠中形成一绝缘体。然后，形成一闸极导体并覆盖该复合电荷储存结构，且填满两氧化元件间的隔离沟渠。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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