静电卡盘以及等离子体加工设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201310354114.1
IPC分类号：H01L21/683;H01L21/67
申请日期：
2013-08-14
申请人：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

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著录项信息

专利名称	静电卡盘以及等离子体加工设备
申请号	CN201310354114.1	申请日期	2013-08-14
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2015-02-25	公开/公告号	CN104377155A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/683 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/683 用于支承或夹紧的（用于定位、定向或对准的入H01L 21/68）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	申请人地址	北京经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	彭宇霖
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	彭瑞欣;张天舒

摘要

本发明提供的静电卡盘以及等离子体加工设备，包括用于承载被加工工件的卡盘和基座，卡盘包括卡盘本体、设置在卡盘本体内的静电电极和加热单元，静电电极与直流电源连接，用以采用静电引力的方式将被加工工件固定在卡盘上；加热单元用于加热被加工工件；基座设置在卡盘本体的下方，用以支撑和固定卡盘本体；在卡盘本体和基座之间设置有隔热组件，隔热组件包括膨胀隔热环和冷却单元，其中，膨胀隔热环为闭合的薄壁结构件，其上、下两端分别与卡盘本体和基座密封接触；冷却单元用于冷却膨胀隔热环。本发明提供一种静电卡盘，其可以彻底解决卡盘的隔热问题，从而可以提高静电卡盘的加热效率和加热均匀性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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