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半导体芯片、制造半导体芯片的方法及半导体芯片封装件

发明专利无效专利

申请号：
CN200710080137.2
IPC分类号：H01L23/48;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/60
申请日期：
2007-02-12
申请人：
三星电机株式会社

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体芯片、制造半导体芯片的方法及半导体芯片封装件
申请号	CN200710080137.2	申请日期	2007-02-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-11-21	公开/公告号	CN101075594
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	三星电机株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电机株式会社	当前权利人	三星电机株式会社
发明人	李泰秀;朴胤辉
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	章社杲;吴贵明

摘要

在半导体芯片中，本体具有其上形成有图案的顶表面、与顶表面相对的下表面以及多个侧表面。多个电极焊盘形成于本体的顶表面上，以连接至外部端子。屏蔽导电膜形成于本体的除形成有图案的顶表面之外的表面上。导电过孔延伸穿过本体，以连接一个电极焊盘和导电膜。

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