金属硅化物层的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110446856.1
IPC分类号：H01J37/32;H01L21/28
申请日期：
2021-04-25
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司

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著录项信息

专利名称	金属硅化物层的形成方法
申请号	CN202110446856.1	申请日期	2021-04-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-03	公开/公告号	CN113205994A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	华虹半导体（无锡）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区新洲路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华虹半导体（无锡）有限公司	当前权利人	华虹半导体（无锡）有限公司
发明人	杨淋淋;吴坚;张贵军
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志

摘要

本申请公开了一种金属硅化物层的形成方法，包括：提供一晶圆，晶圆上形成有半导体器件的栅极和栅氧；通入含氟元素的反应气体对刻蚀设备的腔体内的附着物进行刻蚀清除，刻蚀清除过程中的功率为15瓦至50瓦；在晶圆上沉积金属层，进行热处理，使金属层中的金属与栅极和所述晶圆衬底中的硅反应生成金属硅化物层；进行刻蚀，去除金属层，保留金属硅化物层。本申请在半导体器件的金属硅化物层的刻蚀过程中，通过通入含氟元素的反应气体在15瓦至50瓦的功率下对刻蚀设备的腔体内的附着物进行刻蚀清除，解决了相关技术中提供的通过SiCoNi刻蚀进行预清洗在达到一定次数后由于刻蚀均匀性下降需要在较短的周期进行PM耗时较长的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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