一种有机薄膜晶体管及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310553399.1
IPC分类号：H01L51/54;H01L51/56;C07D307/77;C07D409/04;C07D405/10;C07D405/04;C07D333/50;C07D409/10
申请日期：
2013-11-08
申请人：
北京鼎材科技有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司

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专利名称	一种有机薄膜晶体管及其制备方法
申请号	CN201310553399.1	申请日期	2013-11-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-05-20	公开/公告号	CN104638202A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/54 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/54 材料选择〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;C;0;7;D;3;0;7;/;7;7;;;C;0;7;D;4;0;9;/;0;4;;;C;0;7;D;4;0;5;/;1;0;;;C;0;7;D;4;0;5;/;0;4;;;C;0;7;D;3;3;3;/;5;0;;;C;0;7;D;4;0;9;/;1;0查看分类表>
申请人	北京鼎材科技有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司	申请人地址	北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园北领地D区2号楼3层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京鼎材科技有限公司,清华大学,北京维信诺科技有限公司	当前权利人	北京鼎材科技有限公司,清华大学,北京维信诺科技有限公司
发明人	李银奎;董桂芳
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种有机薄膜晶体管，包括基片、源/漏电极、门电极，以及位于源/漏电极和门电极之间的半导体层和绝缘层，其特征在于，所述半导体层材料为结构通式如下式（Ⅰ）或（Ⅱ）所示有机稠环芳烃衍生物，其中：Ar1‑Ar6独立选自H、C6～C30的取代或非取代的芳烃基团、C6～C30的取代或非取代的稠环芳烃基团、C6～C30的取代或非取代的稠杂环基团、五元、六元的杂环或取代杂环、三芳胺基基团、二苯胺基基团、芳醚团基基团、C1～C20的取代或非取代的脂肪族烷基基团中的一种；X选自第Ⅴ主族或第Ⅵ主族的元素；且Ar1‑Ar6不同时为H。本发明采用新型的有机场致效应半导体材料，同时利用本材料制备了有机薄膜晶体管，特别的，在有机柔性显示器以及其他要求柔性的器件中可以有很好的应用。

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