具有残余物抑制装置的光刻装置和器件制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310114774.9
IPC分类号：--
申请日期：
2003-12-22
申请人：
ASML荷兰有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有残余物抑制装置的光刻装置和器件制造方法
申请号	CN200310114774.9	申请日期	2003-12-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-07-21	公开/公告号	CN1514305
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	ASML荷兰有限公司	申请人地址	荷兰维尔德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	ASML荷兰有限公司	当前权利人	ASML荷兰有限公司
发明人	L·P·巴克
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	肖春京;章社杲

摘要

本发明包括一种光刻投影装置，用于将掩模中的掩模图案成像到基底上，该装置包括构造和设置成提供投影辐射光束的辐射系统；构造成保持掩模的第一目标台；构造成保持基底的第二目标台；和构造和设置成将掩模被照射的部分成像到基底目标部分上的投影系统；其特征在于该装置包括用于在辐射源与电极之间施加电场并且在辐射源与电极之间产生附加放电的电极。施加在本发明的装置中的该电场去除由辐射源产生的不想要的污染物(残余物)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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