半导体装置的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02146360.3
IPC分类号：--
申请日期：
2002-10-24
申请人：
精工爱普生株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置的制造方法
申请号	CN02146360.3	申请日期	2002-10-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-04-30	公开/公告号	CN1414620
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	精工爱普生株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	精工爱普生株式会社	当前权利人	精工爱普生株式会社
发明人	神田敦之;芳贺泰
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	余刚

摘要

本发明涉及一种高效率地在同一衬底上形成高压MOS晶体管与低压MOS晶体管，同时又可以减小对各晶体管特性损坏的半导体装置制造方法。在衬底(100)上形成的第一氧化膜(110)及第二氧化膜(112)中，去除全部低压晶体管区LV的氧化膜，而保留全部高压晶体管区HV的氧化膜。然后，在衬底(100)的全部表面，形成比标准厚度厚的约2000用于构成侧壁的第六氧化膜(119)，过度蚀刻第六氧化膜，形成侧壁(119SW)。利用抗蚀膜(R15A)，通过蚀刻，将不需要的氧化膜(112)去除，在高压nMOS区HVn的元件形成区，分别打开应成为漏极区与源极区的漏极-源极形成区。不必去除抗蚀膜(R15A)，向开口的漏极-源极形成区注入n型杂质离子。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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