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具有改进栅极特性的增强型氮化镓晶体管

发明专利无效专利

申请号：
CN201080015436.8
IPC分类号：H01L21/337
申请日期：
2010-04-07
申请人：
宜普电源转换公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有改进栅极特性的增强型氮化镓晶体管
申请号	CN201080015436.8	申请日期	2010-04-07
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-21	公开/公告号	CN102388443A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/337 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/337 带有PN结栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;7查看分类表>
申请人	宜普电源转换公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宜普电源转换公司	当前权利人	宜普电源转换公司
发明人	亚力山大·利道;罗伯特·比奇;阿兰娜·纳卡塔;曹建军;赵广元
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	臧建明

摘要

一种增强型GaN晶体管，具有避免电介质失效的厚度的栅极pGaN结构。在一个实施例中，该厚度在400埃到900埃的范围内。在一个优选实施例中，该厚度为600埃。

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