一种局部辐射屏蔽结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202022077186.4
IPC分类号：G21F3/00
申请日期：
2020-09-21
申请人：
四川启源合成科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种局部辐射屏蔽结构
申请号	CN202022077186.4	申请日期	2020-09-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G21F3/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G21 核物理；核工程 G21F X射线，γ射线、微粒射线或粒子轰击的防护；处理放射性污染材料；及其去污染装置（用药物方法进行的辐射防护入A61K 8/00，A61Q 17/04；在航天器中的入B64G 1/54；与反应堆结合的入G21C 11/00；与X射线管结合的入H01J 35/16；与X射线仪器结合的入H05G 1/02） G21F3/00 以其物理形态（如颗粒）或材料的形状为特征的防护物	IPC分类号	G;2;1;F;3;/;0;0查看分类表>
申请人	四川启源合成科技有限公司	申请人地址	四川省绵阳市游仙经济试验区仙童街1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川启源合成科技有限公司	当前权利人	四川启源合成科技有限公司
发明人	杜洋;丁亨松;李想;刘起;周俊;周雪娟
代理机构	成都明涛智创专利代理有限公司	代理人	杜梦

摘要

本实用新型公开了一种局部辐射屏蔽结构，包括上固定块和下固定块，所述下固定块上表面中心处开设有第二凹槽，所述下固定块上表面沿长度方向中线线上位于第二凹槽的两侧开设有两个第一凹槽，且第一凹槽一端延伸到第二凹槽内表壁，所述第一凹槽的另一端延伸到下固定块的外侧，所述上固定块通过固定螺栓固定在下固定块上。本实用新型中，该局部辐射屏蔽结构，通过上固定块和下固定块对带辐射管线局部屏蔽、通过移动块纯化柱进行局部屏蔽，相对于直接用热室屏蔽可减少热室的铅当量，降低热室成本，同时通过热室的保护可提高制药过程的安全性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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