具有改善的底部覆盖率的钨膜的高功率脉冲磁控溅射物理气相沉积

发明专利有效专利

申请号：
CN201980051367.7
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/34;C23C14/04;C23C14/14
申请日期：
2019-08-08
申请人：
应用材料公司

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专利名称	具有改善的底部覆盖率的钨膜的高功率脉冲磁控溅射物理气相沉积
申请号	CN201980051367.7	申请日期	2019-08-08
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-16	公开/公告号	CN112513316A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;0;4;;;C;2;3;C;1;4;/;1;4查看分类表>
申请人	应用材料公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	应用材料公司	当前权利人	应用材料公司
发明人	基索尔·卡拉提帕拉比尔;阿道夫·M·艾伦;雷建新;乔斯林甘·罗摩林甘;维加斯拉夫·巴巴扬
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国;赵静

摘要

使用HiPIMSPVD工艺形成膜层的方法包括以下步骤：在工艺腔室的处理区域中向基板提供偏压，基板包含表面特征且工艺腔室的处理区域包括溅射靶；将至少一个能量脉冲输送到溅射靶，以在处理区域中产生溅射气体的溅射等离子体，所述至少一个能量脉冲在小于5kHz且大于100Hz的频率下具有在约600伏特与约1500伏特之间的平均电压和在约50安培与约1000安培之间的平均电流；和朝向溅射靶引导溅射等离子体，以形成离子化的物种，所述物种包含从溅射靶溅射的材料，所述离子化的物种在基板的特征中形成具有改善的底部覆盖率的膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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