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用于处理基材的高疏水表面的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200980111635.6
  • IPC分类号:C23C16/18;H01L21/205
  • 申请日期:
    2009-06-18
  • 申请人:
    东丽先端素材株式会社
著录项信息
专利名称用于处理基材的高疏水表面的方法
申请号CN200980111635.6申请日期2009-06-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-06-01公开/公告号CN102084027A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/18IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人东丽先端素材株式会社申请人地址
韩国庆尚北道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东丽先端素材株式会社当前权利人东丽先端素材株式会社
发明人崔城焕;文基祯;全海尚
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人杨海荣;穆德骏
摘要
本发明涉及为对基材提供高疏水性而将基材表面改性成高疏水性的方法。更具体地说,本方法利用了在基材改性期间具有低表面能、但链长不同的两种不同的有机硅烷分子的自发相分离。分别由相分离的长、短低表面能有机硅烷分子形成域结构和基质结构,由两者的高度差导致的表面粗糙度能够摹拟荷叶效应的超疏水性。所述方法以此方式能够对基材赋予高疏水性。为此目的,将基材表面处理成高疏水性的方法的特征在于,使用具有CF3基团作为官能团的有机硅烷以及碳链长度比前述有机硅烷更短且具有CH3基团作为官能团的有机硅烷,通过化学气相沉积来形成混合自组装单层(SAM),由此获得高疏水性的表面。

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