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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

双模式快速恢复电路器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202080016374.6
  • IPC分类号:H01L27/02
  • 申请日期:
    2020-02-25
  • 申请人:
    英特尔公司
著录项信息
专利名称双模式快速恢复电路器件
申请号CN202080016374.6申请日期2020-02-25
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-10-01公开/公告号CN113474888A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人英特尔公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英特尔公司当前权利人英特尔公司
发明人阿克姆·阿赫桑;马克·阿姆斯壮;刘冠楠
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司代理人邓素敏
摘要
公开了一种双模式快速恢复电路器件。该双模式快速恢复器件可用于静电放电(ESD)保护,并且可提供正ESD保护和负ESD保护。双模式快速恢复器件可实现n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管(例如,栅极接地的NMOS晶体管,比如栅极接地的扩展漏极NMOS(GGEDNMOS)晶体管),以提供针对正ESD事件的保护,也可实现双极结晶体管(BJT)(例如,PNP BJT),以提供针对负ESD事件的保护。可描述和要求保护其他实施例。

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