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一种由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610033302.8
  • IPC分类号:G05F1/56
  • 申请日期:
    2016-01-19
  • 申请人:
    西安邮电大学
著录项信息
专利名称一种由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源
申请号CN201610033302.8申请日期2016-01-19
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-06-15公开/公告号CN105676931A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F1/56IPC分类号G;0;5;F;1;/;5;6查看分类表>
申请人西安邮电大学申请人地址
陕西省西安市长安南路563号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安邮电大学当前权利人西安邮电大学
发明人陈海峰
代理机构北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)代理人李静
摘要
本发明公开了一种由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源,包括多个相同型号的MOSFET器件,所述每个相同型号的MOSFET器件上的漏极连接在一起,并接到输出端O,每个MOSFET器件上的衬底电极连接在一起,并接地。本发明提供了由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源,该电流源可提供数十皮安培电流的输出和控制,能够满足生物芯片对电流大小和功耗的苛刻要求:同时也可被制造成相应的集成电路芯片,由于涉及的MOSFET器件和电路与传统的CMOS集成电路工艺有很好的兼容性,因此无需特殊工艺,因此制造成本较低。

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