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具有掺杂的中间层的金属-半导体接触件结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510200628.0
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L29/45
  • 申请日期:
    2015-04-24
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称具有掺杂的中间层的金属-半导体接触件结构
申请号CN201510200628.0申请日期2015-04-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-11-25公开/公告号CN105097471A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;5查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人林瑀宏;林圣轩;张志维;周友华
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;李伟
摘要
本文公开了一种形成具有掺杂的金属氧化物中间层的金属与半导体接触件的方法。在半导体衬底的顶面上形成绝缘层,目标区位于半导体衬底的顶面。穿过绝缘层蚀刻开口,开口暴露目标区的部分的顶面。掺杂的金属氧化物中间层在开口中形成并且接触目标区的顶面。用金属插塞填充开口的剩余部分,掺杂的金属氧化物中间层设置在金属插塞和衬底之间。掺杂的金属氧化物中间层由氧化锡、氧化钛或氧化锌中的一种形成并且掺杂有氟。本发明涉及具有掺杂的中间层的金属‑半导体接触件结构。

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